logo
Домой > продукты >
Модуль АББ
>
NGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4 ABB IGBT MODULE KIT

NGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4 ABB IGBT MODULE KIT

Детали продукта:
Место происхождения: Швеция
Фирменное наименование: ABB
Сертификация: CO.CQ
Номер модели: НГДР-07С НГДР-07 FF650R17IE4
Подробная информация
Место происхождения:
Швеция
Фирменное наименование:
ABB
Сертификация:
CO.CQ
Номер модели:
НГДР-07С НГДР-07 FF650R17IE4
Описание:
ИГБТ-модуль
Номер детали:
НГДР-07С НГДР-07 FF650R17IE4
Бренд:
АББ
Приложение:
Атомная Электростанция
Год выпуска:
2022 год
Время выполнения:
В наличии
Масса:
4 фунта
Выделить:

High Light

Выделить:

Набор модулей IGBT ABB

,

Модуль IGBT NGDR-07C

,

Модуль ABB FF650R17IE4

Торговая информация
Количество мин заказа:
1
Цена:
inquiry
Упаковывая детали:
новый и оригинальный, запечатанный в заводской упаковке
Время доставки:
сегодня
Условия оплаты:
Т/Т
Поставка способности:
10 штук в день
Описание продукта

NGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4 КОМПЛЕКТ МОДУЛЕЙ ABB IGBT

Что такое приложение/мобильное устройство:86-18020776792     Скпае:Миячжэн520

Электронная почта:miya@mvme.cn (нажмите)    Свяжитесь с нашим мАнагер: Мия


Прописание продукта



НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Комплект модулей ABB IGBT — это высоковольтное, сильноточное промышленное силовое полупроводниковое решение на базе технологической платформы Infineon TRENCHSTOP™ IGBT4 (E4), предназначенное для надежной и эффективной работы в системах преобразования средней и высокой мощности. Модуль включает в себя конфигурацию с двумя полумостовыми IGBT PrimePACK™ 2 на 1700 В / 650 А, оптимизированную для обеспечения высокой надежности, низких потерь на переключение и превосходной способности к термоциклированию.




АББНГДР-07С НГДР-07 FF650R17IE4функции:



Рейтинги электрических характеристик
Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
Номинальный ток коллектора (I_Cnom): 650 А
Максимальный ток коллектора (I_Cmax):

650 А

Рабочая температура перехода (T_vj op): до 150°С



Часто задаваемые вопросы: Рекламаопубликованы технические перспективы НГДР-07С НГДР-07 FF650R17IE4


Вопрос 1: Какова фундаментальная электроструктурная конфигурацияНГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Комплект модулей ABB IGBT с точки зрения топологии PrimePACK™?

НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Комплект модулей ABB IGBT основан на полумостовой архитектуре двойного IGBT PrimePACK™ 2, объединяющей микросхемы IGBT4 (TRENCHSTOP™ E4) с совмещенным диодом быстрого восстановления и NTC-термистором, что обеспечивает преобразование энергии с высокой плотностью в компактных инверторных системах.


Вопрос 2: КакНГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB достигает своей способности блокировать класс 1700 В в условиях высоких нагрузок dv/dt?

НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB имеет номинальное напряжение коллектор-эмиттер 1700 В (V_CES), достигнутое за счет конструкции ячеек IGBT с траншейной остановкой поля и оптимизированных профилей легирования области дрейфа, что обеспечивает надежную лавинную устойчивость и высокую устойчивость к переходным перенапряжениям.


Вопрос 3: Что делаетНГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Комплект модуля ABB IGBT, способный выдерживать номинальный ток проводимости 650 А?

НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB поддерживает номинальный ток коллектора 650 А (I_Cnom) за счет стекирования микросхем с высокой плотностью тока, оптимизированной металлизации эмиттера и геометрии распределения тока с низким сопротивлением, что обеспечивает эффективную проводимость в мощных приводных системах.


Вопрос 4. Какие механизмы оптимизации энергии переключения встроены вНГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль АББ?

НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB минимизирует потери на переключение за счет сверхбыстрого подавления хвостового тока IGBT4 и оптимизации мягкости диода, что приводит к снижению E_on, E_off и энергии обратного восстановления (E_rec) во время работы ШИМ в высокочастотных инверторных средах.


Вопрос 5: КакНГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB обеспечивает тепловую надежность при работе при повышенной температуре перехода?

НГДР-07С/НГДР-07/ФФ650Р17ИЕ4Модуль ABB поддерживает расширенный температурный диапазон перехода до T_vj(op) = 150°C, что обеспечивается за счет распределения тепла медной базовой пластины, интерфейсов с низким термическим импедансом и термомеханически оптимизированных слоев припоя.



Почему выбирают нас

 


☞Причина проста. Мы предлагаем лучшее соотношение цены и качества за качественное промышленное оборудование, на которое распространяется лучшая в отрасли защита покупателей. Отдел продаж постоянно просматривает Интернет, чтобы убедиться, что мы предлагаем самые низкие цены.


☞Однако, если вы считаете, что мы можем добиться большего, не стесняйтесь делать предложение по любому из наших продуктов.


☞Мы гордимся тем, что экономим ваши деньги! Вот как сделать предложение.


☞Команда предложений делает все возможное, чтобы своевременно реагировать на предложения.


☞Обычное время обработки предложения составляет 24 часа.

NGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4 ABB IGBT MODULE KIT
 


Больше горячих модулей


330104-00-20-10-02-00 330104-00-14-10-01-05 330101-00-18-10-02-CN
330104-00-20-10-01-CN 330103-00-07-10-12-05 330101-00-18-10-02-00
330104-00-20-05-02-00 330103-00-07-10-02-00 330101-00-17-10-02-CN
330104-00-18-10-02-00 330103-00-07-05-02-00 330101-00-16-10-02-00
330104-00-16-10-02-CN 330103-00-06-15-02-CN 330101-00-15-10-02-00
330104-00-16-10-02-00 330103-00-06-10-02-CN 330101-00-12-10-02-05
330104-00-15-10-02-00 330101-00-28-05-02-00 330101-00-12-10-01-CN
330104-00-15-10-01-CN 330101-00-20-50-02-05 330101-00-08-20-02-05
330104-00-15-05-02-00 330101-00-20-10-02-05 330101-00-08-10-02-00
330104-00-14-10-02-05 330101-00-19-10-02-00 330101-00-08-05-02-05

miya@mvme.cn (нажмите)||86-18020776792